МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ, МОЛОДІ ТА СПОРТУ УКРАЇНИ
НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ “ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА”
ЗНЯТТЯ ХАРАКТЕРИСТИК
І ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРА
ПО СХЕМІ ЗІ СПІЛЬНИМ ЕМІТЕРОМ
МЕТОДИЧНІ ВКАЗІВКИ ТА ІНСТРУКЦІЯ
до лабораторної роботи № 3
для студентів базового напряму 6.050501 “Прикладна механіка”,
6.050502 “Інженерна механіка”, 6.050503 “Машинобудування”
Затверджено
на засіданні науково-методичної ради Інституту інженерної механіки та транспорту
Протокол № 6/09-10 від 16.03.2010 р.
Львів – 2011
Зняття характеристик і визначення параметрів транзистора по схемі зі спільним емітером: Методичні вказівки та інструкція до лабораторної роботи № 4 з дисципліни “Електроніка та мікропроцесорна техніка” для студентів базового напряму 6.050501 “Прикладна механіка”, 6.050502 “Інженерна механіка”, 6.050503 “Машинобудування” / Укл.: І. Д. Зелінський, С. А. Таянов, В. М. Гурський. – Львів: Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2011. – 13 с.
Укладачі
Зелінський І.Д., канд. техн. наук, доц.
Таянов С.А., канд. техн. наук, доц.
Гурський В.М., канд. техн. наук, асист.
Відповідальний за випуск Кузьо І. В., д-р. техн. наук, проф., зав. каф. механіки та автоматизації машинобудування
Рецензент Куцик А. С., д-р. техн. наук, зав. кафедри автоматизації виробничих процесів, електротехніки та теплотехніки Національного лісотехнічного університету України (м. Львів)
ЗНЯТТЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРА ПО СХЕМІ ЗІ СПІЛЬНИМ ЕМІТЕРОМ
Мета роботи – вивчення особливостей роботи транзистора по схемі зі спільним емітером (зняття вхідної і вихідної характеристик), визначення коефіцієнта підсилення по струму і вхідному опору.
1. Короткі теоретичні відомості
Біполярним транзистором називають напівпровідниковий прилад з трьома виводами, що має два взаємодіючі електронно-діркові переходи, які розташовані між трьома областями з типами провідності, які чергуються. Залежно від порядку чергування областей розрізняють транзистори р-n-р і n-р-n типів. Середня область називається базою (Б). Перехід, до якого прикладена пряма напруга, називають емітерним, а відповідну зовнішню область – емітером (Е). Інший перехід, зміщений у зворотному напрямі, називають колекторним, а відповідну зовнішню область – колектором (К).
При виготовленні транзистора методом вплавлення (рис. 1 а), його базою служить пластинка германію або кремнію (n-типу), на яку з двох сторін наплавляють краплі акцепторної домішки, наприклад індію. В прикордонних шарах між германієм та індієм утворюються р-області, які є емітером і колектором, відстань між якими (товщина бази) є незначною. Крім того, концентрація атомів домішки в області бази повинна бути у багато разів нижчою, ніж в області емітера. Досконалішим є дифузійний метод виготовлення транзисторів, за якого в пластинці кремнію n-типу (рис. 1 б) за допомогою фотолітографії формують базову та емітерну області. Колектором в такій n-р-n структурі служить пластинка кремнію n-типу.
Рис. 1. Схеми виготовлення біполярних транзисторів
вплавленням (а) та дифузійним (б) методами
Розглянемо принцип дії транзистора на прикладі р-n-р структури (рис. 2). До транзистора, між його базою і емітером прикладають пряму напругу із значенням в долі вольта (емітерний перехід відкритий), під дією якої пройде значний прямий струм емітера . Оскільки в транзисторах концентрація носіїв у базі в багато разів нижча, ніж в емітері, то струм створюється, в основному, дірками. Введені в базу дірки намагаються рекомбінувати з вільними електронами бази, але оскільки їх мало, а область бази є вузькою, то переважаюча більшість дірок встигає пройти через базу і досягти р-n переходу колектора, перш ніж відбудеться рекомбінація. Невелика частина рекомбінованих дірок створює струм бази (рис. 2 а). Пройшовши до колектора, дірки починають відчувати прискорюючу дію р-n переходу колектора, витягуються з бази в колектор створюючи струм колектора . Враховуючи невели...
